ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਡੀਯੂਟੇਰੀਅਮ ਫਾਸਫੇਟ (DKDP) 1940 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਗੁਣਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦਾ ਨਾਨਲਾਈਨਰ ਆਪਟੀਕਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਹੈ। ਇਹ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਪੈਰਾਮੀਟ੍ਰਿਕ ਔਸਿਲੇਸ਼ਨ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ Q-ਸਵਿਚਿੰਗ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੇ ਹੋਰ. DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਹੈਦੋ ਪੜਾਅ: ਮੋਨੋਕਲੀਨਿਕ ਪੜਾਅ ਅਤੇ ਟੈਟਰਾਗੋਨਲ ਪੜਾਅ. ਦ ਲਾਭਦਾਇਕ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਟੈਟਰਾਗੋਨਲ ਪੜਾਅ ਹੈ ਜੋ D ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ_{2 ਡੀ}-42m ਪੁਆਇੰਟ ਗਰੁੱਪ ਅਤੇ ਆਈ.ਡੀ¹²_{2 ਡੀ} -42d ਸਪੇਸ ਗਰੁੱਪ. DKDP ਇੱਕ ਆਈਸੋਮੋਰਫਿਕ ਹੈਬਣਤਰ ਪੋਟਾਸ਼ੀਅਮ ਡਾਈਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਫਾਸਫੇਟ (KDP) ਦਾ। ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਵਾਈਬ੍ਰੇਸ਼ਨ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਸਮਾਈ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਨ ਲਈ ਡੀਯੂਟੀਰੀਅਮ ਕੇਡੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਦੀ ਥਾਂ ਲੈਂਦਾ ਹੈ।ਨਾਲ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਉੱਚ deuteration ਚੂਹਾio ਕੋਲ ਹੈ ਬਿਹਤਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਬਿਹਤਰ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ.

1970 ਦੇ ਦਹਾਕੇ ਤੋਂ, ਲੇਜ਼ਰ ਦਾ ਵਿਕਾਸ Inertial Cਜੁਰਮਾਨਾ Fusion (ICF) ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੇ ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਉਤਸ਼ਾਹਿਤ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ KDP ਅਤੇ DKDP। ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਅਤੇ ਨਾਨਲਾਈਨਰ ਆਪਟੀਕਲ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ICF, ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਹੈ ਉੱਚ ਸੰਚਾਰ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ ਵੇਵ ਬੈਂਡਾਂ ਵਿੱਚ ਤੋਂ ਨੇੜੇ-ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਤੋਂ ਨੇੜੇ-ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ, ਵੱਡੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਾਂਕ ਅਤੇ ਗੈਰ-ਰੇਖਿਕ ਗੁਣਾਂਕ, ਉੱਚ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ, ਅਤੇ ਹੋਣ ਵਾਲਾ ਹੋਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਤਿਆਰd ਵਿੱਚ ਵੱਡੇ-ਅਪਰਚਰ ਅਤੇ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਵੱਤਾ. ਹੁਣ ਤੱਕ, ਸਿਰਫ KDP ਅਤੇ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਮਿਲੋse ਲੋੜਾਂ

ICF ਨੂੰ DKDP ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ ਕੰਪੋਨੈਂਟ 400 ~ 600 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਲਈ. ਇਸ ਨੂੰ ਵਧਣ ਲਈ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 1-2 ਸਾਲ ਲੱਗਦੇ ਹਨਨਾਲ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੰਨਾ ਵੱਡਾ ਆਕਾਰ ਰਵਾਇਤੀ ਢੰਗ ਦੁਆਰਾ ਦੇ ਜਲਮਈ ਘੋਲ ਕੂਲਿੰਗ, ਇਸ ਲਈ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਖੋਜ ਕਾਰਜ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ ਹਾਸਲ ਕਰਨਾ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਿਕਾਸ. 1982 ਵਿੱਚ, ਬੇਸਪਾਲੋਵ ਐਟ ਅਲ. ਨੇ 40 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਕਰਾਸ ਸੈਕਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਤੇਜ਼ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕੀਤਾ×40 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਦਰ 0.5-1.0 ਮਿਲੀਮੀਟਰ/ਘੰ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਈ, ਜੋ ਕਿ ਰਵਾਇਤੀ ਵਿਧੀ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਤੀਬਰਤਾ ਦਾ ਕ੍ਰਮ ਸੀ। 1987 ਵਿੱਚ, ਬੇਸਪਾਲੋਵ ਐਟ ਅਲ. ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਵਧਾਇਆ 150 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦਾ ਆਕਾਰ×150 ਮਿਲੀਮੀਟਰ×80 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਨਾਲ ਇੱਕ ਸਮਾਨ ਤੇਜ਼ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨੀਕ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ. 1990 ਵਿੱਚ, Chernov et al. ਬਿੰਦੂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ 800 g ਦੇ ਪੁੰਜ ਨਾਲ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ-ਬੀਜ ਵਿਧੀ. ਵਿੱਚ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਵਿਕਾਸ ਦਰ Z-ਦਿਸ਼ਾ ਪਹੁੰਚd 40-50 mm/d, ਅਤੇ ਉਹ ਅੰਦਰ X- ਅਤੇ ਵਾਈ-ਨਿਰਦੇਸ਼ ਪਹੁੰਚd 20-25 mm/d ਲਾਰੈਂਸ ਲਿਵਰਮੋਰ ਰਾਸ਼ਟਰੀ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ (LLNL) ਨੇ ਐਨ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਲਈ ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਕੇਡੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਡੀਕੇਡੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਤਿਆਰੀ 'ਤੇ ਬਹੁਤ ਖੋਜ ਕੀਤੀ ਹੈ।ਉੱਚਿਤ ਇਗਨੀਸ਼ਨ ਸਹੂਲਤ (NIF) ਅਮਰੀਕਾ ਦੇ. 2012 ਵਿੱਚ ਸ.ਚੀਨੀ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ 510 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ×390 ਮਿਲੀਮੀਟਰ×520 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਜਿਸ ਤੋਂ ਕਿਸਮ ਦਾ ਇੱਕ ਕੱਚਾ DKDP ਕੰਪੋਨੈਂਟ II ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਦੁੱਗਣੀ 430 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ ਸੀ ਬਣਾਇਆ.

ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਕਿਊ-ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ ਡੀਟੀਰੀਅਮ ਸਮੱਗਰੀ ਵਾਲੇ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। 1995 ਵਿੱਚ, ਜ਼ੈਤਸੇਵਾ ਐਟ ਅਲ. ਉੱਚ ਡਿਊਟੇਰੀਅਮ ਸਮੱਗਰੀ ਅਤੇ 10-40 mm/d ਦੀ ਵਿਕਾਸ ਦਰ ਦੇ ਨਾਲ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਧੇ। 1998 ਵਿੱਚ, ਜ਼ੈਤਸੇਵਾ ਐਟ ਅਲ. ਲਗਾਤਾਰ ਫਿਲਟਰੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਚੰਗੀ ਆਪਟੀਕਲ ਕੁਆਲਿਟੀ, ਘੱਟ ਡਿਸਲੋਕੇਸ਼ਨ ਘਣਤਾ, ਉੱਚ ਆਪਟੀਕਲ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਨੁਕਸਾਨ ਦੇ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਦੇ ਨਾਲ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ। 2006 ਵਿੱਚ, ਉੱਚ ਡਿਊਟੇਰੀਅਮ ਡੀਕੇਡੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਕਾਸ਼ਤ ਲਈ ਫੋਟੋਬਾਥ ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਪੇਟੈਂਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। 2015 ਵਿੱਚ, DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਨਾਲ deuteration ਚੂਹਾio 98% ਦਾ ਅਤੇ 100 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਦਾ ਆਕਾਰ×105 ਮਿਲੀਮੀਟਰ×96 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਨੂੰ ਬਿੰਦੂ ਦੁਆਰਾ ਸਫਲਤਾਪੂਰਵਕ ਵਧਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ-ਬੀਜ ਸ਼ੈਡੋਂਗ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਵਿੱਚ ਵਿਧੀ ਚੀਨ ਦੇ. ਥਹੈ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਕੋਈ ਦਿੱਖ ਮੈਕਰੋ ਨੁਕਸ ਨਹੀਂ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸ ਦਾ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਅਸਮਿਮੈਟਰੀ 0.441 ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੈ ppm. 2015 ਵਿੱਚ, ਤੇਜ਼ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀDKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ deuteration ਚੂਹੇ ਨਾਲio 90% ਦਾ ਚੀਨ ਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਪਹਿਲੀ ਵਾਰ ਵਰਤਿਆ ਗਿਆ ਸੀ ਪ੍ਰ-ਸਵਿੱਚਸਮੱਗਰੀ, ਇਹ ਸਾਬਤ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਕਿ 430 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਵਿਆਸ DKDP ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ Q-ਸਵਿੱਚ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਤੇਜ਼ ਵਿਕਾਸ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈing ਕੰਪੋਨੈਂਟ ICF ਦੁਆਰਾ ਲੋੜੀਂਦਾ ਹੈ।

WISOPTIC ਦੁਆਰਾ ਵਿਕਸਤ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ (ਡਿਊਟਰੇਸ਼ਨ> 99%)

DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਲਈ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਆਉਣਗੇ ਕੋਲ ਸਤਹ delirium ਅਤੇ ਨੇਬੁਲization, ਜਿਸ ਨਾਲ ਆਪਟੀਕਲ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਕਮੀ ਆਵੇਗੀ ਅਤੇ ਪਰਿਵਰਤਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ। ਇਸ ਲਈ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਕਿਊ-ਸਵਿੱਚ ਨੂੰ ਤਿਆਰ ਕਰਦੇ ਸਮੇਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਸੀਲ ਕਰਨਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ। ਰੋਸ਼ਨੀ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ'ਤੇ ਸੀਲਿੰਗ ਵਿੰਡੋs Q-ਸਵਿੱਚ ਅਤੇ ਦੇ ਉਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀਆਂ ਕਈ ਸਤਹਾਂ, ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਤਰਲ ਅਕਸਰ ਟੀਕਾ ਲਗਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਸਪੇਸ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਤੇ ਵਿੰਡੋ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰs. ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਡਬਲਯੂਬਿਨਾ ਵਿਰੋਧੀ-ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਪਰਤ, ਟੀਉਹ ਸੰਚਾਰ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ ਦੁਆਰਾ 92% ਤੋਂ 96%-97% (ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ 1064 nm) ਤੱਕ ਵਧਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਰਿਫ੍ਰੈਕਟਿਵ ਇੰਡੈਕਸ ਮੈਚਿੰਗ ਹੱਲ. ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਸੁਰੱਖਿਆ ਫਿਲਮ ਨੂੰ ਨਮੀ-ਸਬੂਤ ਮਾਪ ਵਜੋਂ ਵੀ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ. Xionget al. ਤਿਆਰ SiO₂ ਕੋਲੋਇਡਲ ਫਿਲਮ ਨਾਲ ਦੇ ਫੰਕਸ਼ਨ ਨਮੀ-ਸਬੂਤ ਅਤੇ ਵਿਰੋਧੀ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ'ਤੇ. ਪ੍ਰਸਾਰਣ 99.7% ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਿਆ (ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ 794 nm), ਅਤੇ ਲੇਜ਼ਰ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ 16.9 J/cm ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਈ² (ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ 1053 nm, ਪਲਸ ਚੌੜਾਈ 1 ns)। ਵੈਂਗ ਜ਼ਿਆਓਡੋਂਗ ਐਟ ਅਲ. ਤਿਆਰ ਏ ਸੁਰੱਖਿਆ ਫਿਲਮ ਨਾਲ ਪੋਲੀਸਿਲੋਕਸੇਨ ਗਲਾਸ ਰਾਲ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਨਾ। ਲੇਜ਼ਰ ਨੁਕਸਾਨ ਦੀ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ 28 J/cm ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਈ² (ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ 1064 nm, ਪਲਸ ਚੌੜਾਈ 3 ns), ਅਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ 3 ਮਹੀਨਿਆਂ ਲਈ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਾਪੇਖਿਕ ਨਮੀ ਦੇ ਨਾਲ ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਿੱਚ ਕਾਫ਼ੀ ਸਥਿਰ ਰਹੀਆਂ।

ਐਲ ਐਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਤੋਂ ਵੱਖਰਾ, ਕੁਦਰਤੀ ਬਾਇਰਫ੍ਰਿੰਗੈਂਸ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਲਈ, DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਜਿਆਦਾਤਰ ਲੰਮੀ ਮਾਡੂਲੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਅਪਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਰਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਲੰਬਾਈਬੀਮ ਦਿਸ਼ਾ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ’s ਵਿਆਸ, ਤਾਂ ਜੋ ਇਕਸਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ, ਜੋ ਇਸ ਲਈ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ ਰੋਸ਼ਨੀ ਸਮਾਈ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਭਾਵ depolarization ਦੀ ਅਗਵਾਈ ਕਰੇਗਾ aਟੀ ਉੱਚ ਔਸਤ ਪਾਵਰ.

ਆਈਸੀਐਫ ਦੀ ਮੰਗ ਦੇ ਤਹਿਤ, ਡੀਕੇਡੀਪੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਤਿਆਰੀ, ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਅਤੇ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਡੀਕੇਡੀਪੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਕਿਊ-ਸਵਿੱਚਾਂ ਨੂੰ ਲੇਜ਼ਰ ਥੈਰੇਪੀ, ਲੇਜ਼ਰ ਸੁਹਜ, ਲੇਜ਼ਰ ਉੱਕਰੀ, ਲੇਜ਼ਰ ਮਾਰਕਿੰਗ, ਵਿਗਿਆਨਕ ਖੋਜ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਅਤੇ ਲੇਜ਼ਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਦੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਡੀਲੀਕੇਸੈਂਸ, ਉੱਚ ਸੰਮਿਲਨ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਕੰਮ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਅਸਮਰੱਥਾ ਅਜੇ ਵੀ ਰੁਕਾਵਟਾਂ ਹਨ ਜੋ DKDP ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਵਿਆਪਕ ਵਰਤੋਂ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

WISOPTIC ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਇਆ DKDP ਪੋਕੇਲ ਸੈੱਲ