ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ ਪੜਾਅ ਬੇਰੀਅਮ ਮੈਟਾਬੋਰੇਟ (β-BaB₂O₄, ਛੋਟੇ ਲਈ BBO) ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਟ੍ਰਾਈਪਟਾਈਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਿਸਟਮ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ, 3m ਬਿੰਦੂ ਸਮੂਹ। 1949 ਵਿੱਚ, ਲੇਵਿਨਅਤੇ ਬਾਕੀ. ਘੱਟ-ਤਾਪਮਾਨ ਪੜਾਅ ਬੇਰੀਅਮ ਮੈਟਾਬੋਰੇਟ BaB ਦੀ ਖੋਜ ਕੀਤੀ₂O₄ ਮਿਸ਼ਰਣ 1968 ਵਿੱਚ, ਬ੍ਰਿਕਸਨਰਅਤੇ ਬਾਕੀ. BaCl ਵਰਤਿਆ₂ ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਸੂਈ-ਵਰਗੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਵਹਾਅ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ। 1969 ਵਿੱਚ, ਹਬਨਰ ਨੇ ਲੀ₂0.5mm × 0.5mm × 0.5mm ਵਧਣ ਲਈ ਪ੍ਰਵਾਹ ਵਜੋਂ O ਅਤੇ ਘਣਤਾ, ਸੈੱਲ ਪੈਰਾਮੀਟਰਾਂ ਅਤੇ ਸਪੇਸ ਸਮੂਹ ਦੇ ਮੂਲ ਡੇਟਾ ਨੂੰ ਮਾਪਿਆ ਗਿਆ। 1982 ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਫੁਜਿਆਨ ਇੰਸਟੀਚਿਊਟ ਆਫ਼ ਮੈਟਰ ਸਟ੍ਰਕਚਰ, ਚਾਈਨੀਜ਼ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ਼ ਸਾਇੰਸਿਜ਼ ਨੇ ਪ੍ਰਵਾਹ ਵਿੱਚ ਵੱਡੇ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਪਿਘਲੇ ਹੋਏ ਨਮਕ ਦੇ ਬੀਜ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਧੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ, ਅਤੇ ਪਾਇਆ ਕਿ BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੱਕ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਅਲਟਰਾਵਾਇਲਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ-ਦੁੱਗਣਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ Q-ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਲਈ, BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚ ਘੱਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਗੁਣਾਂਕ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ ਹੈ ਜੋ ਉੱਚ ਅੱਧ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ ਵੱਲ ਲੈ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਇਸਦਾ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਲੇਜ਼ਰ ਡੈਮੇਜ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਦਾ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਫਾਇਦਾ ਹੈ।

ਫੁਜਿਆਨ ਇੰਸਟੀਚਿਊਟ ਆਫ਼ ਮੈਟਰ ਸਟ੍ਰਕਚਰ, ਚਾਈਨੀਜ਼ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ਼ ਸਾਇੰਸਿਜ਼ ਨੇ BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਵਾਧੇ 'ਤੇ ਕੰਮ ਦੀ ਇੱਕ ਲੜੀ ਕੀਤੀ ਹੈ। 1985 ਵਿੱਚ, φ67mm × 14mm ਦੇ ਆਕਾਰ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਉਗਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਆਕਾਰ 1986 ਵਿੱਚ φ76mm × 15mm ਅਤੇ 1988 ਵਿੱਚ φ120mm × 23mm ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਿਆ।

ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਧ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਂ ਦਾ ਵਾਧਾ ਪਿਘਲੇ-ਲੂਣ ਵਾਲੇ ਬੀਜ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਧੀ (ਜਿਸ ਨੂੰ ਸਿਖਰ-ਬੀਜ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਧੀ, ਫਲੈਕਸ-ਲਿਫਟਿੰਗ ਵਿਧੀ, ਆਦਿ ਵਜੋਂ ਵੀ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ) ਨੂੰ ਅਪਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਵਿੱਚ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਦਰc-ਧੁਰੀ ਦੀ ਦਿਸ਼ਾ ਹੌਲੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਲੰਬੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਗੁਣਾਂਕ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਛੋਟੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਅਰਥ ਹੈ ਉੱਚ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਵੋਲਟੇਜ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। 1995 ਵਿੱਚ, ਗੁਡਨੋਅਤੇ ਬਾਕੀ. Nd:YLF ਲੇਜ਼ਰ ਦੇ EO Q- ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਲਈ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ BBO ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ। ਇਸ BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਆਕਾਰ 3mm × 3mm × 15mm ਸੀx, y, z), ਅਤੇ ਟ੍ਰਾਂਸਵਰਸ ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਅਪਣਾਇਆ ਗਿਆ ਸੀ। ਹਾਲਾਂਕਿ ਇਸ BBO ਦਾ ਲੰਬਾਈ-ਉਚਾਈ ਅਨੁਪਾਤ 5:1 ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਦਾ ਹੈ, ਤਿਮਾਹੀ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ ਅਜੇ ਵੀ 4.6 kV ਤੱਕ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉਸੇ ਹਾਲਤਾਂ ਵਿੱਚ LN ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ EO Q- ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਦਾ ਲਗਭਗ 5 ਗੁਣਾ ਹੈ।

ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਲਈ, BBO EO Q-ਸਵਿੱਚ ਦੋ ਜਾਂ ਤਿੰਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇਕੱਠੇ ਵਰਤਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਸੰਮਿਲਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਨਿੱਕਲਅਤੇ ਬਾਕੀ. ਕਈ ਵਾਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚੋਂ ਲਾਈਟ ਪਾਸ ਕਰਕੇ BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਅੱਧੀ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਘਟਾ ਦਿੱਤਾ। ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਲੇਜ਼ਰ ਬੀਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚੋਂ ਚਾਰ ਵਾਰ ਲੰਘਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ 45° 'ਤੇ ਰੱਖੇ ਉੱਚ ਰਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਦੇ ਕਾਰਨ ਪੜਾਅ ਦੇਰੀ ਦੀ ਭਰਪਾਈ ਆਪਟੀਕਲ ਮਾਰਗ ਵਿੱਚ ਰੱਖੀ ਵੇਵ-ਪਲੇਟ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। ਇਸ ਤਰੀਕੇ ਨਾਲ, ਇਸ BBO Q-ਸਵਿੱਚ ਦੀ ਅੱਧੀ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ 3.6 kV ਜਿੰਨੀ ਘੱਟ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ 1. ਘੱਟ ਹਾਫ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ BBO EO Q- ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ - WISOPTIC

2011 ਵਿੱਚ ਪਰਲੋਵ ਅਤੇ ਬਾਕੀ. 50mm ਇੰਚ ਦੀ ਲੰਬਾਈ ਦੇ ਨਾਲ BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ NaF ਨੂੰ ਪ੍ਰਵਾਹ ਵਜੋਂ ਵਰਤਿਆc-ਧੁਰੀ ਦਿਸ਼ਾ, ਅਤੇ 5mm × 5mm × 40mm ਦੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ BBO EO ਡਿਵਾਈਸ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ, ਅਤੇ 1 × 10 ਤੋਂ ਬਿਹਤਰ ਆਪਟੀਕਲ ਇਕਸਾਰਤਾ ਦੇ ਨਾਲ⁻⁶ cm⁻¹, ਜੋ ਕਿ ਈਓ ਕਿਊ-ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਦੀਆਂ ਲੋੜਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸ ਵਿਧੀ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਚੱਕਰ 2 ਮਹੀਨਿਆਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ, ਅਤੇ ਲਾਗਤ ਅਜੇ ਵੀ ਉੱਚੀ ਹੈ।

ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਘੱਟ ਪ੍ਰਭਾਵੀ EO ਗੁਣਾਂਕ ਅਤੇ ਵੱਡੇ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੇ ਨਾਲ BBO ਵਧਣ ਦੀ ਮੁਸ਼ਕਲ ਅਜੇ ਵੀ BBO ਦੀ EO Q- ਸਵਿਚਿੰਗ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸੀਮਤ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਉੱਚ ਲੇਜ਼ਰ ਡੈਮੇਜ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਅਤੇ ਉੱਚ ਦੁਹਰਾਉਣ ਦੀ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕਰਨ ਦੀ ਯੋਗਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ, BBO ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਅਜੇ ਵੀ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਮੁੱਲ ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਭਵਿੱਖ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਕਿਸਮ ਦੀ EO Q- ਮੋਡੂਲੇਸ਼ਨ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ 2. ਘੱਟ ਹਾਫ-ਵੇਵ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਨਾਲ BBO EO Q-ਸਵਿੱਚ - WISOPTIC Technology Co., Ltd ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਇਆ ਗਿਆ।