ਆਪਟੀਕਲ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਕਿਸਮ ਦੀ ਬੀਮ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਕੰਟਰੋਲ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਲਚਕਤਾ, ਉੱਚ ਗਤੀ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਫਾਇਦੇ ਹਨ।

ਵਰਤਮਾਨ ਵਿੱਚ, ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ ਖੋਜਾਂ ਤਰਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ, ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ, ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਕਨੀਕਲ ਸਿਸਟਮ (MEMS) ਦੇ ਆਪਟੀਕਲ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ 'ਤੇ ਹਨ। ਅੱਜ ਅਸੀਂ ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਜੋ ਕੁਝ ਲੈ ਕੇ ਆਏ ਹਾਂ ਉਹ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਆਪਟੀਕਲ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਦੇ ਸੰਬੰਧਿਤ ਸਿਧਾਂਤ ਹਨ।

ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਲਾਈਟ ਬੀਮ ਨੂੰ ਡਿਫਲੈਕਟ ਕਰਨ ਲਈ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਜਾਂ ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਆਪਟੀਕਲ Waveguide Pਹੈਡ Aਰੇ B'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ Electro-Optical Eਪ੍ਰਭਾਵ

ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਕ੍ਰਿਸਟਲ 'ਤੇ ਇੱਕ ਬਾਹਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਣ ਵਾਲੀ ਲਾਈਟ ਬੀਮ ਬਾਹਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਇੱਕ ਪੜਾਅ ਦੇਰੀ ਪੈਦਾ ਕਰੇ। ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ, ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਫੀਲਡ ਦੁਆਰਾ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਫੇਜ਼ ਦੇਰੀ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਦੇ ਅਨੁਪਾਤੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਕੋਰ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਣ ਵਾਲੀ ਲਾਈਟ ਬੀਮ ਦੀ ਪੜਾਅ ਦੇਰੀ ਨੂੰ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਕੇ ਬਦਲਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਹਰੇਕ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਕੋਰ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਪਰਤ। ਐਨ-ਲੇਅਰ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਨਾਲ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡਾਂ ਦੇ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਲਈ, ਸਿਧਾਂਤ ਚਿੱਤਰ 1 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ: ਹਰੇਕ ਕੋਰ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਬੀਮ ਦੇ ਸੰਚਾਰ ਨੂੰ ਸੁਤੰਤਰ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸਦੇ ਆਵਰਤੀ ਵਿਭਿੰਨ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਫੀਲਡ ਡਿਸਟ੍ਰੀਬਿਊਸ਼ਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਗਰੇਟਿੰਗ ਡਿਫ੍ਰੈਕਸ਼ਨ ਥਿਊਰੀ ਦੁਆਰਾ ਸਮਝਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। . ਅਨੁਸਾਰੀ ਪੜਾਅ ਅੰਤਰ ਵੰਡ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਨਿਯਮ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਕੋਰ ਲੇਅਰ ਉੱਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਕੇ, ਅਸੀਂ ਦੂਰ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਤੀਬਰਤਾ ਦੀ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਵੰਡ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ। ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦਾ ਨਤੀਜਾ ਇੱਕ ਖਾਸ ਦਿਸ਼ਾ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਤੀਬਰਤਾ ਵਾਲੀ ਰੋਸ਼ਨੀ ਬੀਮ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਦੂਜੀਆਂ ਦਿਸ਼ਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਪੜਾਅ ਨਿਯੰਤਰਣ ਯੂਨਿਟਾਂ ਤੋਂ ਨਿਕਲਣ ਵਾਲੀਆਂ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਤਰੰਗਾਂ ਇੱਕ ਦੂਜੇ ਨੂੰ ਰੱਦ ਕਰ ਦਿੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਤਾਂ ਜੋ ਲਾਈਟ ਬੀਮ ਦੀ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਸਕੈਨਿੰਗ ਨੂੰ ਮਹਿਸੂਸ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ।

ਚਿੱਤਰ 1 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਗਰੇਟਿੰਗ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਓptical ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ

ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ 'ਤੇ ਆਧਾਰਿਤ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਫੇਜ਼ਡ ਐਰੇ

ਕ੍ਰਿਸਟਲ’s ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਉਸ ਵਰਤਾਰੇ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜੋ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਗਰਮ ਕਰਨ ਜਾਂ ਠੰਢਾ ਕਰਨ ਦੁਆਰਾ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਅਣੂ ਪ੍ਰਬੰਧ ਬਦਲ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਕਾਰਨ ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਬਦਲਾਅ ਨਾਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀਆਂ ਆਪਟੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਬਦਲਦੀਆਂ ਹਨ। ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਐਨੀਸੋਟ੍ਰੋਪੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੇ ਪ੍ਰਗਟਾਵੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਇੰਡੀਕੈਟ੍ਰਿਕਸ ਦੀ ਅਰਧ-ਧੁਰੀ ਲੰਬਾਈ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ, ਜਾਂ ਆਪਟੀਕਲ ਧੁਰੇ ਦੇ ਕੋਣ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀ, ਆਪਟੀਕਲ ਧੁਰੀ ਦੇ ਸਮਤਲ ਦਾ ਪਰਿਵਰਤਨ, ਇੰਡੀਕੇਟ੍ਰਿਕਸ ਦਾ ਰੋਟੇਸ਼ਨ, ਅਤੇ ਹੋਰ ਵੀ। ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੀ ਤਰ੍ਹਾਂ, ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਬੀਮ ਦੇ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ 'ਤੇ ਸਮਾਨ ਪ੍ਰਭਾਵ ਪਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵੀ ਅਪਵਰਤਕ ਸੂਚਕਾਂਕ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਲਈ ਹੀਟਿੰਗ ਪਾਵਰ ਨੂੰ ਬਦਲ ਕੇ, ਦੂਜੀ ਦਿਸ਼ਾ ਵਿੱਚ ਕੋਣ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਚਿੱਤਰ 2 ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਇੱਕ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਪੜਾਅਬੱਧ ਐਰੇ ਦਾ ਇੱਕ ਯੋਜਨਾਬੱਧ ਚਿੱਤਰ ਹੈ। ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸਕੈਨਿੰਗ ਡਿਫਲੈਕਸ਼ਨ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ 300mm CMOS ਡਿਵਾਈਸ 'ਤੇ ਗੈਰ-ਇਕਸਾਰ ਵਿਵਸਥਿਤ ਅਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਹੈ।

ਚਿੱਤਰ 2 ਥਰਮੋ-ਆਪਟੀਕਲ ਪ੍ਰਭਾਵ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਆਪਟੀਕਲ ਵੇਵਗਾਈਡ ਦੇ ਪੜਾਅਵਾਰ ਐਰੇ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ